5月29日消息，中关村平行论坛北京（国际）第三代半导体创新发展论坛上，中国工程院院士、国家新材料产业发展专家咨询委员会主任干勇谈到，总体而言我国半导体产业还相对比较落后，尽管我们已经具有能力设计高端半导体芯片，但是整体技术差距还很大，而且近来由于国外发达国家的半导体布局，如果稍不小心，我们很可能继续拉大这一差距。
干勇指出，近年世界主要经济体不断加大在半导体领域的投入，国际半导体产业发展趋势竞争将会越来越激烈。比如，美国在5月22号宣布副总统在加州投入40亿美元，建立一个大的半导体中心，成为世界最大的半导体基地；5月20号英国政府也宣布，将每年投入一亿英镑，十年之内集中研究开发设计知识产权尖端的复合半导体。
干勇强调，随着硅半导体材料主导的摩尔定律逐渐走向极限，同时硅也满足不了微波射频、高效功率电子和光电子等新需求快速发展的需要，第三代半导体新材料快速崛起。此外，基于第三代半导体材料和器件将引领高端电力装备的颠覆性创新应用，推动传统电网向半导体电网发展。其中，5G基站、数据中心等新型用电设施的大规模建设运行，能耗问题已成为主要瓶颈，发展基于第三代半导体材料的高效电能转换技术刻不容缓。
他认为，未来半导体发展的两个方向，一个是半导体器件高密度集成和半导体器件的小型化，总体而言我国半导体产业还相对比较落后，尽管我们已经具有能力设计高端半导体芯片，但是整体技术差距还很大，而且近来由于国外总体的，特别发达国家的半导体布局，如果稍不小心，我们很可能继续拉大这一差距。国外加紧布局，中国半导体也必须开始作为顶层的整合资源式的、集中行动的建立大平台，培育大产业，如果不加紧布局，未来中国半导体技术与国外差距将进一步拉大。
干勇建议，第三代半导体为代表的化合物半导体在满足光电子、微波射频和高效功率电子等新需求的快速发展中，在全球信息化发展和可持续电极化转型中，我们能够起到一个至关重要的支撑作用，所以我们必须把它作为突破口，这是我国重构全球半导体产业竞争格局的重要窗口。
另外，半导体产业的全球化属性是不可改变的，创新对半导体行业尤为重要，加强技术研究和原始创新，实现关键核心技术突破，以创新驱动带动产业高质量发展，同时加强全球产业链供应链的协作。